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硅通孔技術(shù)（Through Silicon Via， TSV）技術(shù)是一項高密度封裝技術(shù)，正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù)，被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。

TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連。硅通孔技術(shù)可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實現(xiàn)器件集成的小型化。

TSV技術(shù)的優(yōu)勢

①縮小封裝尺寸；

②高頻特性出色，減小傳輸延時、降低噪聲；

③降低芯片功耗，據(jù)稱，TSV可將硅鍺芯片的功耗降低大約40%；

④熱膨脹可靠性高。

刻蝕工藝：是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計要求對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)。刻蝕技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工。刻蝕還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。

封裝技術(shù)--Package Technology，公司提供TO5/TO39/TO46等各類型TO類的大批量表面貼封，小批量的懸空封裝等，同時可以提供LCC、QFN、DFN等封裝形式的快封。

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